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双宜科技

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致力于场效应管(MOSFET)功率器件领域的研发

150V以内所有型号均支持定制

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SOT23,SOT23-3L,SOT23-6,SOP8,SOT89-3,TSS0P8,TO252,TO252-4L,PDFN2*2,PDFN3*3,PDFN5*6等封装 

 

 

 

 

双宜科技

SYKJ2300_SOT23-3L_N_耐压20V_电流5.2A_VGS±12V

SYKJ2300_SOT23-3L_N_耐压20V_电流5.2A_VGS±12V

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    SYKJ2300

    «       Green Device Available

    «       Super Low Gate Charge

    «       Excellent Cdv/dt effect decline

    «       Advanced high cell density Trench technology

    The SYKJ2300 is the high cell density trenched N-ch MOSFETswhich provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. The SYKJ2300 meets the RoHS and Green Product requirement with full functionreliability

    approved.

    SYKJ2300_SOT23-3_EN_V01

    16

    深圳市双宜科技有限公司

    www.ledfangan.com

    Symbol

    Parameter

    Typ.

    Max.

    Unit

    RθJA

    Thermal Resistance Junction-ambient 1

    ---

    170

    /W

    RθJC

    Thermal Resistance Junction-Case1

    ---

    ---

    /W

    Thermal Data

    Symbol

    Parameter

    Rating

    Units

    VDS

    Drain-Source Voltage

    20

    V

    VGS

    Gate-Source Voltage

    ±12

    V

    ID@TA=25

    Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1

    5.2

    A

    ID@TA=70

    Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1

    3.0

    A

    IDM

    Pulsed Drain Current2

    16.4

    A

    PD@TA=25

    Total Power Dissipation3

    1.0

    W

    TSTG

    Storage Temperature Range

    -55 to 150

    TJ

    Operating Junction Temperature Range

    -55 to 150

    Absolute Maximum Ratings

    SOT23 Pin Configuration

    Description

    BVDSS

    RDSON

    ID

    20V

    21mΩ

    5.2A

    Product Summary





    SYKJ2300

    Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise specified)

    Notes:1. Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature

    2. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤0.5%

    SYKJ2300_SOT23-3_EN_V01

    26

    深圳市双宜科技有限公司

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    Symbol

    Parameter

    Test Condition

    Min.

    Typ.

    Max.

    Units

    Off Characteristic

    V(BR)DSS

    Drain-Source Breakdown Voltage

    VGS=0V, ID=250μA

    20

    -

    -

    V

    IDSS

    Zero Gate Voltage Drain Current

    VDS=20V, VGS=0V,

    -

    -

    1.0

    μA

    IGSS

    Gate to Body Leakage Current

    VDS=0V, VGS =±12V

    -

    -

    ±100

    nA

    On Characteristics

    VGS(th)

    Gate Threshold Voltage

    VDS=VGS, ID=250μA

    0.4

    0.7

    1

    V

    RDS(on)


    Static Drain-Source on-Resistance

    note2

    VGS=4.5V, ID=4A

    -

    21

    27



    VGS=2.5V, ID=3A

    -

    29

    44

    Dynamic Characteristics

    Ciss

    Input Capacitance


    VDS=10V, VGS=0V, f=1.0MHz


    -

    358

    -

    pF

    Coss

    Output Capacitance

    -

    69.3

    -

    pF

    Crss

    Reverse Transfer Capacitance

    -

    58.5

    -

    pF

    Qg

    Total Gate Charge

    VDS=10V, ID=2A, VGS=4.5V


    -

    5.6

    -

    nC

    Qgs

    Gate-Source Charge

    -

    0.8

    -

    nC

    Qgd

    Gate-Drain(“Miller”) Charge

    -

    1

    -

    nC

    Switching Characteristics

    td(on)

    Turn-on Delay Time

    VDS=10V,

    ID=4A, RGEN=3Ω, VGS=4.5V


    -

    5

    -

    ns

    tr

    Turn-on Rise Time

    -

    30

    -

    ns

    td(off)

    Turn-off Delay Time

    -

    48

    -

    ns

    tf

    Turn-off Fall Time

    -

    36

    -

    ns

    Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

    IS

    Maximum Continuous Drain to Source Diode Forward Current

    -

    -

    4

    A

    ISM

    Maximum Pulsed Drain to Source Diode Forward Current

    -

    -

    16

    A

    VSD

    Drain to Source Diode Forward Voltage

    VGS=0V, IS=4A

    -

    -

    1.2

    V





    SYKJ2300

    Typical Performance Characteristics

    Figure 2: Typical Transfer Characteristics

    Figure1: Output Characteristics

    ID (A)

    25

    ID (A)

    25

    20

    20

    15

    15

    10

    10

    5

    5

    0

    0

    0

    1

    2

    3

    4

    5

    0

    0.5

    1

    1.5

    2.0

    2.5

    3.0

    Figure 3:On-resistance vs. Drain Current

    Figure 4: Body Diode Characteristics

    IS(A)

    1E+01

    35 RDS(ON) (mΩ)

    1E+00

    30

    1E-01

    25

    1E-02

    20

    1E-03

    15

    1E-04

    10

    1E-05

    0

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    0.0

    0.2

    0.4

    0.6

    0.8

    1.0

    Figure 5: Gate Charge Characteristics

    VGS(V)

    Figure 6: Capacitance Characteristics

    C(pF)

    5

    VDS=10V

    ID=2A

    103

    4

    3

    2

    102

    1

    Qg(nC)

    101

    0

    0

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    0

    5

    10

    15

    20

    25

    30

    SYKJ2300_SOT23-3_EN_V01

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    Ciss













    Coss











    Crss



    VDS(V)


















































    TJ=125






    25











    VSD(V)











    VGS=2.5V















    VGS=4.5V









    ID(A)






















    125


    25









    VGS(V)



    2.5V




    4.5V





    2.0V











    VGS=1.5V





    VDS(V)







    SYKJ2300

    Figure 7: Normalized Breakdown Voltage vs. Junction Temperature

    VBR(DSS)

    Figure 8: Normalized on Resistance vs. Junction Temperature

    RDS(on)

    1.3

    2.5

    1.2

    2.0

    1.1

    1.5

    1.0

    1.0

    0.9

    0.5

    0

    -100

    -50

    0

    50

    100

    150

    200

    -100

    -50

    0

    50

    100

    150

    200

    Figure 10: Maximum Continuous Drain Current vs. Ambient Temperature

    ID(A)

    Figure 9: Maximum Safe Operating Area

    ID(A)

    5

    102

    4

    101

    100μs

    3

    1ms

    100

    2

    Limited by RDS(on)

    10ms

    10-1

    100ms

    TA=25

    1

    Single pulse

    DC

    VDS (V)

    10-2

    0

    0.01

    0.1

    1

    10

    0

    25

    50

    75

    100

    125

    150

    Figure.11: Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient

    ZthJ-A(/W)

    103

    102

    101

    D=0.5

    D=0.2

    t1

    D=0.1

        t2

    100

    D=0.05

    D=0.02

    D=0.01

    Notes:

    Single pulse

    1.Duty factor D=t1/t2

    2.Peak TJ=PDM*ZthJC+TA

    TP(s)

    10-1

    10-5

    10-4

    10-3

    10-2

    10-1

    100

    101

    102

    SYKJ2300_SOT23-3_EN_V01

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    PDM


























































































































    TA ()




































































































































































































    Tj ()

























































    Tj ()








    img9img10

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    Package Mechanical Data-SOT-23-3L

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    img11img12

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       双宜科技保留电路及其规格书的更改权,以便为客户提供更优秀的产品,规格若有更改,恕不另行通知。

    Ø

    双宜科技一直致力于提高产品的质量和可靠性,然而,任何半导体产品在特定条件下都有一定

    的失效或发生故障的可能,客户有责任在使用双宜产品进行产品研发时,严格按照对应规格书的要求使用双宜产品,并在进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施,以避免潜在失败风险造成人身伤害或财产损失等情况。如果因为客户不当使用双宜产品而造成的人身伤害、财产损失等情况,双宜公司不承担任何责任。

    Ø

    本产品主要应用于消费类电子产品中,如果客户将本产品应用于医疗、军事、航天等要求极高

    质量、极高可靠性的领域的产品中,其潜在失败风险所造成的人身伤害、财产损失等情况,双宜科技不承担任何责任。

    Ø

    本规格书所包含的信息仅作为双宜产品的应用指南,没有任何专利和知识产权的许可暗示,如

    果客户侵犯了第三方的专利和知识产权,双宜科技不承担任何责任。

    关于我们:

    深圳市双宜科技有限公司是一家专业从事中低压场效应管、模拟集成电路芯片产品的研制、开发和销售的高新技术企业,自公司2012年成立以来,我们拥有了广大的客户群,本公司主要经营中低压场效应管,MCU设计,电源管理IC,LED驱动IC,触摸控制IC等。公司秉承坚持 " 服务第一,品质第一,客户第一 " 的原则为广大客户提供优质的服务。

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